Caractéristiques
Description
Délivre 2 x 30 watts sous 8 ohms.
Conception à faible bruit
Circuit à transistor à effet de champ à métal-oxyde-semiconducteur à énergie directe (Advanced Direct Energy MOS FET)
Circuit linéaire à large bande passante
Dimensions ( L x H x P ) : 420 x 114 x 307 mm - Poids : 4,3 kg
Conception à faible bruit
Circuit à transistor à effet de champ à métal-oxyde-semiconducteur à énergie directe (Advanced Direct Energy MOS FET)
Circuit linéaire à large bande passante
Dimensions ( L x H x P ) : 420 x 114 x 307 mm - Poids : 4,3 kg
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Waterloo + Partie De Braine-L'Alleud, De Ohain
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Depuis 21 mai '26
Numéro de l'annonce: m2401854497
Mots-clés populaires
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